1.廢硅泥烘干熱解去除水與揮發(fā)物；

2.用鹽酸.硝酸.乙酸.乙醇等濕法溶解除雜，清洗烘干得到高純硅粉；

3.把純單質(zhì)硅和高純二氧化硅進(jìn)行研磨至微米級以下，二者比例配比混合進(jìn)高溫真空熱解反應(yīng)系統(tǒng)；

4.熱解反應(yīng)形成的一氧化硅（氧化亞硅）進(jìn)行急冷，冷后的氧化亞硅再次研磨至微米級以下；

5.微米級亞硅與有機(jī)碳源、微米純碳等添加劑進(jìn)行配比混合均勻；

6.配比混合進(jìn)行無氧熱解炭化包覆氧化亞硅，冷卻包覆后物料再進(jìn)高溫?zé)o氧燒結(jié)系統(tǒng)，該次燒結(jié)可提高碳包覆氧化亞硅材料密度、硬度等性能；

7.燒結(jié)物料冷卻后三次高溫?zé)o氧燒結(jié)，這次燒結(jié)使碳包覆氧化亞硅材料提高電導(dǎo)率和電化學(xué)性；

8.冷卻碳包覆硅氧材料制成微米納米級，該碳包覆硅氧材料經(jīng)產(chǎn)品質(zhì)量檢測后密封包裝外售。

氧化亞硅SiOx體積膨脹遠(yuǎn)小于晶體硅，但仍遠(yuǎn)高石墨，因此SiOx材料研制仍考慮膨脹性問題，減少SiOx循環(huán)中顆粒破碎和粉化，提高材料的循環(huán)壽命，因此納米化也是提升材料的循環(huán)和倍率性能。

該氧硅材料的首次效率僅為63%。為了從本質(zhì)提高SiOx材料的首次效率， Si-SiOx-C復(fù)合結(jié)構(gòu)的碳硅負(fù)極材料，氧化亞硅納米顆粒表面包覆了一層多孔碳材料，提高了電化學(xué)性能，在0.06C下可逆容量達(dá)到1562mAh/g，首次效率達(dá)到80%，1C循環(huán)100次，容量保持率可達(dá)88%

優(yōu)點(diǎn):  對亞硅碳包覆表面改性,提高亞硅的流動性,提高硅材料電導(dǎo)率、首次效率、容量率、膨脹率、循環(huán)性、電化學(xué)及壽命，降低膨脹率。

缺點(diǎn)：成本高、首次率略差、膨脹略大、加工性差、循環(huán)差、倍率差。